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  Transistor  (24.751 Angebote unter 28.071.695 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 1200 V 217 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 217 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
Infineon
IKW15N120H3FKSA1
ab € 7,72*
pro 2 Stück
 
 Packung
IGBT Modul, MIXA225PF1200TSF (1 Angebot) 
IGBT, MIXA225PF1200TSF, LITTELFUSE Der Phasenschenkel-XPT-IGBT lässt sich aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten der Einschaltspannung leicht parallelisieren. Er verfügt über ein robustes X...
Littelfuse
MIXA225PF1200TSF
ab € 124,05*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm (3 Angebote) 
Produktpalette: DTA143T Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: - Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpola...
ROHM Semiconductor
DTA143TKAT146
ab € 0,0337*
pro Stück
 
 Packungen
IGBT Modul, MIXA300PF1200TSF (1 Angebot) 
IGBT, MIXA300PF1200TSF, LITTELFUSE Der Phasenschenkel-XPT-IGBT lässt sich aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten der Einschaltspannung leicht parallelisieren. Er verfügt über ein robustes X...
Littelfuse
MIXA300PF1200TSF
ab € 143,00*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V (2 Angebote) 
Produktpalette: UMD9N Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 6 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerp...
ROHM Semiconductor
UMD9NTR
ab € 0,0757*
pro Stück
 
 Packung
Infineon IGBT-Modul / 105 A ±20V max., 1200 V 355 W AG-ECONO3-3 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 105 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 355 W Gehäusegröße = AG-ECONO3-3 Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ...
Infineon
FP75R12KE3BOSA1
ab € 168,85*
pro Stück
 
 Stück
IGBT Modul, MIXA30W1200TED (1 Angebot) 
IGBT, MIXA30W1200TED, LITTELFUSE Der XPT-IGBT lässt sich aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten der Einschaltspannung leicht parallelisieren. Er verfügt über ein robustes XPT-Design (Xtreme...
Littelfuse
MIXA30W1200TED
ab € 59,97*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V (2 Angebote) 
Produktpalette: UMD6N Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: - Anzahl der Pins: 6 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolari...
ROHM Semiconductor
UMD6NTR
ab € 0,0377*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 16 A ±20V max., 1200 V 70 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 16 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 70 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
Infineon
IKW08T120FKSA1
ab € 10,42*
pro 4 Stück
 
 Packung
IGBT Modul, MIXA30WB1200TED (1 Angebot) 
IGBT, MIXA30WB1200TED, LITTELFUSE Der XPT-IGBT lässt sich aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten der Einschaltspannung leicht parallelisieren. Er verfügt über ein robustes XPT-Design (Xtrem...
Littelfuse
MIXA30WB1200TED
ab € 68,03*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V (1 Angebot) 
Produktpalette: BCR35PN Series MSL: MSL 3 - 168 Stunden Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 6 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandl...
Infineon
BCR35PNH6327XTSA1
ab € 0,0755*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 40 A ±20V max., 650 V 250 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal (4 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 250 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
Infineon
IGW40N65F5FKSA1
ab € 1,60*
pro Stück
 
 Stück
IGBT Modul, MIXA40W1200TED (1 Angebot) 
IGBT, MIXA40W1200TED, LITTELFUSE Der XPT-IGBT lässt sich aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten der Einschaltspannung leicht parallelisieren. Er verfügt über ein robustes XPT-Design (Xtreme...
Littelfuse
MIXA40W1200TED
ab € 64,14*
pro Stück
 
 Stück
Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm (2 Angebote) 
Produktpalette: UMH11N Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 10 kohm Anzahl der Pins: 6 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandler...
ROHM Semiconductor
UMH11NTN
ab € 0,0377*
pro Stück
 
 Stück
Infineon IGBT / 30 A ±20V max., 650 V 105 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 30 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 105 W Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...
Infineon
IKP15N65F5XKSA1
ab € 1,56*
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