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Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     139-2443495
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     BCR35PNH6327XTSA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Digitaltransistor
Dual Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Produktpalette: BCR35PN Series
  • MSL: MSL 3 - 168 Stunden
  • Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm
  • Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm
  • Anzahl der Pins: 6 Pins
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOT-363
  • Dauer-Kollektorstrom: 100 mA
  • DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70 hFE
  • Verlustleistung: 250 mW
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50 V
  • Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50 V
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd-transistor npn, smd transistor, transistor infineon, Bipolare, digitale, Dioden, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Vorgespannte, INFINEON, BCR35PNH6327XTSA1, 2443495, 244-3495
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