Transistor  (24.751 Angebote unter 28.071.516 Artikeln)Zum Expertenwissen

Technologie: TRANSISTOR PNP Kollektor-Base-Spannung: -30 V Kollektor-Emitter-Spannung: -30 V Kollektor-Emitter-Spannung: -30 V Emitter-Base-Spannung: -5 V Kollektorstrom: -100 mA Spitzenkollektorst...

Funktioniert wie ein normaler npn-Transistor, zusätzlich ist die Basis mit einer Linse nah außen zugänglich. Der Strom durch Emitter Kollektorstrecke kann so zusätzlich durch Licht gesteuert werden.

Bauform - Transistor: TO-92 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 V MSL: MSL 1 - Unlimited Dauer-Kollektorstrom: 200 mA Übergangsfrequenz: 300 MHz Qualifikation: - Verlustleistung:...

Dauer-Kollektorstrom max. = 21 A Kollektor-Emitter-Spannung = 450 V Gate-Source Spannung max. = ±14V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pin...

Low-Side-Schalter, SN75468N, Texas Instruments Der SN75468N ist ein Hochspannungs-Hochstrom-Darlington-Transistor-Array. Jedes besteht aus sieben NPN-Darlington-Paaren, die Hochspannungsausgänge mi...

Produktpalette: - MSL: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: 47 kohm Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: Einfach PNP Betrie...

Technologie: TRANSISTOR NPN Kollektor-Emitter-Spannung: 45 V Emitter-Base-Spannung: 7 V Kollektorstrom: 0,2 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,6 W Betriebstemperatur: -65 -200 °C

PUT steht für Programmable Unijunction Transistor. Das "Gate" verbindet die Anode und Kathode, die sich an der ersten und der letzten p-n-dotierten Schicht befinden. Der PUT enthält drei p-n-Übergä...

Bauform - Transistor: TO-92 Verlustleistung: 625 mW Produktpalette: - Dauer-Kollektorstrom: 200 mA Transistormontage: Through Hole MSL: MSL 1 - Unlimited Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Übergangsfrequenz...

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 1 A Kollektor-Emitter-Spannung = 150 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 3,8 W Gleichstromverstärkung min. = 60 Tra...

SIPMOS Leistungs-MOSFET NFET en. N-Kanal-Ausführung. Technische Merkmale (Typ, Spannung (VDS), Strom (ID). Widerstand (RDS), Gehäuse, Hersteller): BUZ12, 50 V, 42 A, 28 m Ohm, TO220, COMSET

Produktpalette: DTC114T Series MSL: MSL 1 - unbegrenzt Basis-Eingangswiderstand R1: 10 kohm Basis-Emitter-Widerstand R2: - Anzahl der Pins: 3 Pins Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolar...

Technologie: TRANSISTOR NPN Kollektor-Emitter-Spannung: 45 V Emitter-Base-Spannung: 7 V Kollektorstrom: 0,2 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,6 W Betriebstemperatur: -65 -200 °C

MSL: MSL 1 - Unlimited Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 V Betriebstemperatur, max.: 150 °C Verlustleistung: 625 mW Dauer-Kollektorstrom: 800 mA Transistormontage: Through Hole Produktpalette: -...

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 3 A Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 3,9 W Gleichstromverstärkung min. = 400 Tra...