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IGBT, IXGA30N120B3, LITTELFUSE Hochgeschwindigkeits-PT-IGBTs mit niedrigem Vsat-Wert, die mit 3-20 kHz schalten, optimiert für niedrige Leitungs- und Schaltverluste und mit Vorteilen wie hoher Leis...

Dauer-Kollektorstrom max. = 280 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 300 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

IGBT, IXGH10N170, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit hoher Spitzenstromfähigkeit und Vorteilen wie hoher Leistungsdichte, einfacher Montage mit einer Schraube und Eignung für die Oberflächenmont...

Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: Module Dauer-Kollektorstrom: 460 A IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sä...

Dauer-Kollektorstrom max. = 88 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 290 W Gehäusegröße = SOT-227B Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanzah...

IGBT, IXGF20N300, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit hoher Spitzenstromfähigkeit, einem elektrisch isolierten Tab und einer niedrigen Sättigungsspannung. Features * Siliziumchip auf Direct-Coppe...

Quellstrom: 210 mA Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: 360 mA Treiberkonfigurat...

Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –15 A Kollektor-Emitter-Spannung = –80 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 75 W Gleichstromverstärkung min. = 20 Transisto...

IGBT, IXGH12N120A3, LITTELFUSE PT-IGBT mit extrem niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge bis zu 3 kHz in einem internationalen Standardgehäuse, optimiert für niedrige Leitungsverluste und mit Vorte...

Quellstrom: - Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET Produktpalette: - Eingang: - Versorgungsspannung, max.: 15 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: H...

Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = –5 A Kollektor-Emitter-Spannung = -25 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 12,5 W Gleichstromverstärkung min. = 45 T...

IGBT, IXGF32N170, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit hoher Spitzenstromfähigkeit, einem galvanisch getrennten Tab, hoher Leistungsdichte und geeignet für die Oberflächenmontage. Features * Robus...

Quellstrom: 200 mA Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 14 Pin(s) Sinkstrom: 350 mA...

Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 278 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...