Transistor  (24.741 Angebote unter 28.255.021 Artikeln)Zum Expertenwissen

IGBT, IXBT32N300HV, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizie...

Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: TO-247AC Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75 V Kontinuierlicher Kolle...

Dauer-Kollektorstrom max. = 70 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 577 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

IGBT, IXG50I4500KN, LITTELFUSE Ein einzelner Hochspannungs-IGBT mit einfacher Parallelisierung aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten der Einschaltspannung, Kurzschlussfestigkeit von 10 μs,...

Produktpalette: TRENCHSTOP 5 MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 V Kontinuierlich...

Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 290 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...

IGBT, IXBX25N250, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizient...

Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: Module Dauer-Kollektorstrom: 600 A IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-...

Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 85 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...

IGBT, IXGA20N120A3, LITTELFUSE PT-IGBT mit extrem niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge bis zu 3 kHz in einem internationalen Standardgehäuse, optimiert für niedrige Leitungsverluste und mit Vorte...

Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-247 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 V Kontinuierlicher Kollektor...

Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguration ...

IGBT, IXBX64N250, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizient...

Produktpalette: EconoPACK 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: Module Dauer-Kollektorstrom: 100 A IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollek...

Dauer-Kollektorstrom max. = 270 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Konfiguration = Single Montage-Typ = Tafelmontage Channel-Typ = N Pinanzahl = 5 Transistor-Kon...