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"Transistor"

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IGBT, Trench, Leuchtfeldblende, 40 A, 1.65 V, 161 W, 650 V, TO-263S, 3 Pin(s) (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-263S Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65 V Kontinu...
ROHM Semiconductor
RGT40NS65DGTL
ab € 1,12*
pro Stück
 
 Stück
IXYS IGBT / 38 A ±20V max., 1200 V 165 W, 3-Pin TO-220 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 38 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 165 W Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...
IXYS
IXA20I1200PB
ab € 4,03*
pro Stück
 
 Stück
IGBT, IXBH32N300HV (1 Angebot) 
IGBT, IXBH32N300HV, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizie...
Littelfuse
IXBH32N300HV
ab € 67,96*
pro Stück
 
 Stück
DIODES INC. ZXTN25020DFH TRANSISTOR, NPN, SOT-23 (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 215 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20 V Bet...
Diodes
ZXTN25020DFH
ab € 0,208*
pro Stück
 
 Stück
onsemi BD809G THT, NPN Transistor 80 V / 10 A 1 MHz, TO-220 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 90 W Transistor-Konfiguration = Einfach Kollektor...
onsemi
BD809G
ab € 2,63*
pro 5 Stück
 
 Packung
IGBT, IXBH20N360HV (1 Angebot) 
IGBT, IXBH20N360HV, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizie...
Littelfuse
IXBH20N360HV
ab € 124,11*
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 Stück
IXYS IGBT / 105 A ±20V max., 1200 V 500 W, 4-Pin SOT-227B N-Kanal (2 Angebote) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 105 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 500 W Gehäusegröße = SOT-227B Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanza...
IXYS
IXYN82N120C3H1
ab € 47,11*
pro Stück
 
 Stück
IGBT, IXBH42N300HV (1 Angebot) 
IGBT, IXBH42N300HV, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizie...
Littelfuse
IXBH42N300HV
ab € 115,89*
pro Stück
 
 Stück
IGBT, 15 A, 1.6 V, 33.3 W, 650 V, TO-220, 3 Pin(s) (1 Angebot) 
Produktpalette: TRENCHSTOP 5 MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6 V Kontinuierliche...
Infineon
IKA15N65F5XKSA1
ab € 1,024*
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 Stück
IXYS IGBT / 188 A ±20V max., 1200 V 1150 W, 3-Pin PLUS247 N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 188 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 1150 W Gehäusegröße = PLUS247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanza...
IXYS
IXYX100N120C3
ab € 20,95*
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 Stück
IGBT, IXBH32N300 (1 Angebot) 
IGBT, IXBH32N300, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizient...
Littelfuse
IXBH32N300
ab € 90,47*
pro Stück
 
 Stück
IGBT-Modul, Halbbrücke, 230 A, 2 V, 746 W, 150 °C, Module (1 Angebot) 
Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: Module Dauer-Kollektorstrom: 230 A IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sä...
STARPOWER
GD150HFY120C1S
ab € 42,99*
pro Stück
 
 Stück
IXYS IGBT / 50 A ±20V max., 1700 V, 3-Pin TO-247AD N-Kanal (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = TO-247AD Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguratio...
IXYS
IXGH24N170
ab € 13,39*
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 Stück
IGBT, IXBK64N250 (1 Angebot) 
IGBT, IXBK64N250, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizient...
Littelfuse
IXBK64N250
ab € 150,83*
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 Stück
IGBT, 29 A, 1.35 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 Pin(s) (2 Angebote) 
Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 V Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.35 V Kontinuierlicher Kollekto...
ST Microelectronics
STGP10NB60S
ab € 1,03*
pro Stück
 
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