IGBT  (2.775 Angebote unter 28.210.009 Artikeln)Zum Expertenwissen

IGBT, IXBX64N250, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizient...

Dauer-Kollektorstrom max. = 21 A Kollektor-Emitter-Spannung = 300 V Gate-Source Spannung max. = ±10V Verlustleistung max. = 150 W Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pina...

Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Betriebstemperatur, max.: 175 °C Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Sättigungsspa...

IGBT, IXBX50N360HV, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizie...

Dauer-Kollektorstrom max. = 100 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 450 W Gehäusegröße = SOT-227B Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanza...

Quellstrom: 200 mA Leistungsschalter: MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: 350 mA Treiberkon...

IGBT, IXGA12N120A3, LITTELFUSE PT-IGBT mit extrem niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge bis zu 3 kHz in einem internationalen Standardgehäuse, optimiert für niedrige Leitungsverluste und mit Vorte...

Dauer-Kollektorstrom max. = 38 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 165 W Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspa...

IGBT, IXG50I4500KN, LITTELFUSE Ein einzelner Hochspannungs-IGBT mit einfacher Parallelisierung aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten der Einschaltspannung, Kurzschlussfestigkeit von 10 μs,...

Dauer-Kollektorstrom max. = 134 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 690 W Gehäusegröße = SOT-227B Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanza...

IGBT, IXGA20N120B3, LITTELFUSE Hochgeschwindigkeits-PT-IGBTs mit niedrigem Vsat-Wert, die mit 3-20 kHz schalten, optimiert für niedrige Leitungs- und Schaltverluste und mit Vorteilen wie hoher Leis...

Dauer-Kollektorstrom max. = 40 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 349 W Gehäusegröße = TO-3PN Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...

Quellstrom: 200 mA Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 2 - 1 Jahr Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: 350 mA Trei...