IGBT  (2.782 Angebote unter 28.246.244 Artikeln)Zum Expertenwissen

IGBT, IXGA20N250HV, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit hoher Spitzenstromfähigkeit, einem elektrisch isolierten Tab und einer niedrigen Sättigungsspannung. Features * Internationales Standardgeh...

Quellstrom: 1.5 A Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: µHVIC Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 5 Pin(s) Sinkstrom: 1.5 ...

Dauer-Kollektorstrom max. = 105 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 500 W Gehäusegröße = SOT-227B Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanza...

IGBT, IXGA12N120A3, LITTELFUSE PT-IGBT mit extrem niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge bis zu 3 kHz in einem internationalen Standardgehäuse, optimiert für niedrige Leitungsverluste und mit Vorte...

Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.7 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAC Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5 V Kontinuierlicher ...

Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1700 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Gehäusegröße = TO-247AD Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl = 3 Transistor-Konfiguratio...

IGBT, IXGA48N60A3, LITTELFUSE PT-IGBT mit extrem niedrigem Vsat-Wert für Schaltvorgänge bis zu 5 kHz in einem internationalen Standardgehäuse, optimiert für niedrige Leitungsverluste und mit Vortei...

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 kV Betriebstemperatur, max.: 150 °C Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 3.5 V ...

Dauer-Kollektorstrom max. = 188 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 1150 W Gehäusegröße = PLUS247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanza...

IGBT, IXGA20N120B3, LITTELFUSE Hochgeschwindigkeits-PT-IGBTs mit niedrigem Vsat-Wert, die mit 3-20 kHz schalten, optimiert für niedrige Leitungs- und Schaltverluste und mit Vorteilen wie hoher Leis...

Quellstrom: 250 mA Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: 500 mA Treiberkonfigurat...

Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 349 W Gehäusegröße = TO-247AB Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl...

IGBT, IXGF25N250, LITTELFUSE Ein Hochspannungs-IGBT mit hoher Spitzenstromfähigkeit, einem elektrisch isolierten Tab und einer niedrigen Sättigungsspannung. Features * UL-anerkanntes Gehäuse * MOS-...

Produktpalette: - MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 V Bauform - Transistor: TO-247 Betriebstemperatur, max.: 175 °C Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35 V Kontinuierlicher Kollekto...

Dauer-Kollektorstrom max. = 152 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 830 W Gehäusegröße = SOT-227B Montage-Typ = SMD Channel-Typ = N Pinanza...