IGBT  (2.782 Angebote unter 28.246.563 Artikeln)Zum Expertenwissen

IGBT, IXBH42N250, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizient...

Quellstrom: - Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET Produktpalette: - Eingang: - Versorgungsspannung, max.: 15 V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: ...

Dauer-Kollektorstrom max. = 20 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 85 W Gehäusegröße = TO-220 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl =...

IGBT, IXBN42N170A, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizien...

Quellstrom: 210 mA Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: - Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: 360 mA Treiberkonfigurat...

Dauer-Kollektorstrom max. = 80 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 428 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-Ko...

IGBT, IXBK55N300, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizient...

Quellstrom: - Leistungsschalter: IGBT Produktpalette: - Eingang: Invertierend Versorgungsspannung, max.: 17.5 V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 28 Pin(s) Sinkstrom: - Treiberkonfiguration...

Dauer-Kollektorstrom max. = 120 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 600 W Gehäusegröße = TO-3PN Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

IGBT, IXBT12N300HV, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizie...

Quellstrom: 200 mA Leistungsschalter: IGBT, MOSFET Produktpalette: - Eingang: Nicht invertierend Versorgungsspannung, max.: 20 V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 14 Pin(s) Sinkstrom: 350 mA...

Dauer-Kollektorstrom max. = 75 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 480 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzahl ...

IGBT, IXBL64N250, Littelfuse BiMOSFETs sind ein Bauelement, in dem die Stärken von MOSFETs und IGBTs kombiniert sind. Dieses Hochspannungsbauelement ist aufgrund des positiven Temperaturkoeffizient...

Quellstrom: - Leistungsschalter: IGBT, SiC-MOSFET Produktpalette: EiceDRIVER 1EDI Eingang: - Versorgungsspannung, max.: 15 V MSL: MSL 3 - 168 Stunden Anzahl der Pins: 8 Pin(s) Sinkstrom: - Treiberk...

Dauer-Kollektorstrom max. = 200 A Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V Gate-Source Spannung max. = ±20V Verlustleistung max. = 1250 W Gehäusegröße = TO-247 Montage-Typ = THT Channel-Typ = N Pinanzah...