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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8A; 8,3W; DFN3x3 EP (1 Angebot) 
Hersteller: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montage: SMD Gehäuse: DFN3x3 EP Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 66mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 8,3W...
Alpha & Omega Semiconductor
AON7296
ab € 0,127*
pro Stück
 
 Stück
ROHM IGBT / 48 A ±30V max. , 600 V 111 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 48 A Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGCL60TS60GC13
ab € 1.290,87*
pro 600 Stück
 
 Packung
Infineon
IRF6665TRPBF
ab € 5.676,72*
pro 4.800 Stück
 
 Packung
ROHM IGBT / 10 A ±30V max. , 650 V 106 W, 3-Pin TO-263L (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Anzahl an Transistoren = 1 Gehäusegröße = TO-263L Pinanzahl = 3
ROHM Semiconductor
RGT20NL65GTL
ab € 0,96*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; D2PAK (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: D2PAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 56A Widerstand im Leitungszustand: 25mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 200W Polarisierung: unipolar...
onsemi
HUF75639S3ST
ab € 1,15*
pro Stück
 
 Stück
ROHM BC847BHZGT116 SMD, NPN Transistor 45 V / 100 mA, SOT-23 3-Pin (2 Angebote) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 45 V Gehäusegröße = SOT-23 Montage-Typ = SMD Gleichstromverstärkung min. = 200 Pinanzahl = 3 Anzahl der Elemente pr...
ROHM Semiconductor
BC847BHZGT116
ab € 0,51*
pro 25 Stück
 
 Packung
Infineon
IRFI4110GPBF
ab € 1,64*
pro Stück
 
 Stück
ROHM DTC123EE3HZGTL SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, EMT3 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = EMT3 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3
ROHM Semiconductor
DTC123EE3HZGTL
ab € 0,0717*
pro Stück
 
 Stück
Infineon
IRF520NPBF
ab € 0,30*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4,9A; 42W; DPAK,TO252 (3 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: SMD Gehäuse: DPAK;TO252 Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 4,9A Widerstand im Leitungszustand: 0,27Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 42W Polarisierung: un...
Vishay
IRFR120PBF
ab € 0,28*
pro Stück
 
 Stück
ROHM IGBT / 104 A ±30V max. , 650 V 288 W To-247GE (1 Angebot) 
Dauer-Kollektorstrom max. = 104 A Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V Gate-Source Spannung max. = ±30V Verlustleistung max. = 288 W Gehäusegröße = To-247GE
ROHM Semiconductor
RGWSX2TS65GC13
ab € 2,74*
pro Stück
 
 Stück
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 200W; TO220AB (2 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 56A Widerstand im Leitungszustand: 25mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 200W Polarisierung: unipol...
onsemi
HUF75639P3
ab € 1,36*
pro Stück
 
 Stück
ROHM DTA113ZE3HZGTL SMD, PNP Digitaler Transistor -50 V / 100 mA, EMT3 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = PNP DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = -50 V Gehäusegröße = EMT3 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3
ROHM Semiconductor
DTA113ZE3HZGTL
ab € 0,0309*
pro Stück
 
 Stück
ROHM DTC123JU3T106 SMD, NPN Digitaler Transistor 50 V / 100 mA, SOT-323 (SC-70) 3-Pin (1 Angebot) 
Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 100 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V Gehäusegröße = SOT-323 (SC-70) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 200 mW Gleichstromverstärkung min. = 8...
ROHM Semiconductor
DTC123JU3T106
ab € 92,07*
pro 3.000 Stück
 
 Packung
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9,8A; 50W; DPAK (3 Angebote) 
Hersteller: ONSEMI Montage: SMD Gehäuse: DPAK Drain-Source Spannung: 100V Drainstrom: 9,8A Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 50W Polarisierung: unipolar...
onsemi
FQD19N10LTM
ab € 0,38*
pro Stück
 
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