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Diodes N-Kanal MOSFET, 60 V, 310 mA, TO-236, DMN65D8L-7


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Produktinformationen
Diodes N-Kanal MOSFET, 60 V, 310 mA, TO-236, DMN65D8L-7
Diodes N-Kanal MOSFET, 60 V, 310 mA, TO-236, DMN65D8L-7
Artikel-Nr.:
     4502-33S2414
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN65D8L-7
EAN/GTIN:
     4099879034441
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
MOSFET, DMN65D8L-7, Diodes Dieser MOSFET der neuen Generation wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Power-Management-Anwendungen eignet. Features * Niedriger Ein-Widerstand * Niedrige Gate-Schwellenwertspannung * Niedrige Eingangskapazität * Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Weitere Informationen:
Ausführung:
N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V:
3 Ω
Gate Charge Qg @10V (nC):
0.87 nC
Gehäuse:
TO-236
max. Spannung:
60 V
max. Strom:
310 mA
max. Temperatur:
150 °C
min. Temperatur:
-55 °C
Montage:
SMD
Ursprungsland:
CN
Gewicht:
0.0008 kg
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, diodes mosfet, feldeffekttransistor, mosfet sot-23, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, FET
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