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Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 200 V, 18 A, TO-220, IRF640NP


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Produktinformationen
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 200 V, 18 A, TO-220, IRF640NP
Infineon Technologies N-Kanal HEXFET Power MOSFET, 200 V, 18 A, TO-220, IRF640NP
Artikel-Nr.:
     4502-24S3233
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF640NPBF
EAN/GTIN:
     4099879033161
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
MOSFETs, IRF640NPBF, Infineon Technologies Der IRF640NPBF ist ein Leistungs-MOSFET-Gleichrichter, der mit Hilfe fortschrittlicher Verarbeitungstechniken einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche erreicht. Der geringe Wärmewiderstand des TO-220 trägt zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei. Features * Fortschrittliche Prozesstechnologie * Extrem niedriger Einschaltwiderstand * Dynamischer dv/dt-Wert * Schnelles Umschalten * Einfaches Parallelisieren * Einfache Antriebsanforderungen Anwendungen * DC-Motoren * Wechselrichter * SMPS * Beleuchtung * Lastschalter * Batteriebetriebene Anwendungen
Weitere Informationen:
Ausführung:
N-Kanal
Einschaltwiderstand RDS (on) max @VGS=10V:
150 mΩ
Gate Charge Qg @10V (nC):
67 nC
Gehäuse:
TO-220
max. Spannung:
200 V
max. Strom:
18 A
max. Temperatur:
175 °C
min. Temperatur:
-55 °C
Montage:
THT
Verlustleistung W (DC):
150 W
Ursprungsland:
CN
Gewicht:
0.002233 kg
SVHC frei:
Ja
RoHS konform:
Ja
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, feldeffekttransistor, mosfet 200v, Halbleiter, Semiconductor, Aktive Bauelemente, FET
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Warenzustand:unbenutzt
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