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Infineon SIPMOS® SPD09P06PLGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 9,7 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)


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Infineon SIPMOS® SPD09P06PLGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 9,7 A 42 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Artikel-Nr.:
     108EL-8269074
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     SPD09P06PLGBTMA1
EAN/GTIN:
     5059043000220
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
Leistungstransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 9,7 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Serie = SIPMOS®
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 42 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 2.41mm

Infineon SIPMOS® P-Kanal-MOSFETs. Die Kleinsignal-P-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS ;sup>® ;/sup> besitzen verschiedene Merkmale wie den Verbesserungsmodus, einen durchgängigen Drain-Strom bis herunter auf –80 A sowie einen großen Betriebstemperaturbereich. Der SIPMOS-Leistungstransistor kann in einer Vielzahl von Anwendungen wie Telekommunikation, eMobility, Notebooks, DC/DC-Geräten sowie in der Automobilindustrie verwendet werden.. · AEC Q101-qualifiziert (siehe Datenblatt) · Bleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
9,7 A
Drain-Source-Spannung max.:
60 V
Serie:
SIPMOS®
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
400 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2V
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
42 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip:
1mm
Höhe:
2.41mm
Weitere Suchbegriffe: mosfet infineon, leistungs-mosfet, mosfet dpak, 8269074, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, SPD09P06PLGBTMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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