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Infineon IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal


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Infineon IGBT / 10 A ±20V max., 600 V 110 W, 3-Pin D2PAK (TO-263) N-Kanal
Artikel-Nr.:
     108EL-8269055
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IGB10N60TATMA1
EAN/GTIN:
     5059043004273
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Dauer-Kollektorstrom max. = 10 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 110 W
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Schaltgeschwindigkeit = 1MHz
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 10.31 x 9.45 x 4.57mm
Betriebstemperatur max. = +175 °C

Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V. Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode. Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V Sehr geringer VCEsat Niedrige Abschaltverluste Kurzer Deaktivierungsstrom Geringe elektromagnetische Störungen Maximale Verbindungstemperatur 175°C
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
10 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
110 W
Gehäusegröße:
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ:
SMD
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Schaltgeschwindigkeit:
1MHz
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Abmessungen:
10.31 x 9.45 x 4.57mm
Betriebstemperatur max.:
+175 °C
Weitere Suchbegriffe: igbt infineon, smd transistor, transistor d2-pak, 8269055, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IGB10N60TATMA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs
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