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Infineon HEXFET IRF1404ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 190 A 220 W, 3-Pin TO-220AB

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Produktinformationen

Infineon HEXFET IRF1404ZPBF N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 190 A 220 W, 3-Pin TO-220AB

Artikel-Nr.:
108EL-6886813

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IRF1404ZPBF

EAN/GTIN:
5059045587354

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 190 A
Drain-Source-Spannung max. = 40 V
Serie = HEXFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 220 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 100 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

Synchroner Motorsteuerungs- und AC/DC-Gleichrichter-MOSFET, Infineon. Motorsteuerungs-MOSFET. Infineon bietet ein umfassendes Portfolio von robusten N-Kanal- und P-Kanal-MOSFET-Geräten für Anwendungen in der Motorsteuerung. Synchrongleichrichter-MOSFET. Ein Sortiment von Synchrongleichrichter-MOSFET-Geräten für AC/DC-Netzteile entspricht dem Bedarf der Kunden nach höherer Leistungsdichte, kleinerer Größe, mehr Mobilität und flexiblerer Systeme.

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	190 A
Drain-Source-Spannung max.:	40 V
Serie:	HEXFET
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	4 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	4V
Gate-Schwellenspannung min.:	2V
Verlustleistung max.:	220 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:	100 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min.:	-55 °Cmm

... > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Mosfet

Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, leistungs-mosfet, mosfet 40v, 6886813, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRF1404ZPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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