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Infineon IGBT / 60 A ±20V max., 600 V 187 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal
Menge:
Stück
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
108EL-1107756
Hersteller:
Infineon
Herst.-Nr.:
IKW30N60H3FKSA1
EAN/GTIN:
5059043420059
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt infineon
Dauer-Kollektorstrom max. = 60 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 600 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 187 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.13 x 5.21 x 21.1mm
Betriebstemperatur min. = –40 °CpF
Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V. Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode. Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V Sehr geringer VCEsat Niedrige Abschaltverluste Kurzer Deaktivierungsstrom Geringe elektromagnetische Störungen Maximale Verbindungstemperatur 175°C
Weitere Informationen:
Dauer-Kollektorstrom max.:
60 A
Kollektor-Emitter-Spannung:
600 V
Gate-Source Spannung max.:
±20V
Verlustleistung max.:
187 W
Gehäusegröße:
TO-247
Montage-Typ:
THT
Channel-Typ:
N
Pinanzahl:
3
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Abmessungen:
16.13 x 5.21 x 21.1mm
Betriebstemperatur min.:
–40 °CpF
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Halbleiter
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Diskrete Halbleiter
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IGBT
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igbt
,
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1107756
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Diskrete Halbleiter
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Infineon
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IKW30N60H3FKSA1
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Semiconductors
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Discrete Semiconductors
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IGBTs
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