Infineon IGBT / 50 A ±20V max., 650 V 305 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
108EL-1107157

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IGW50N65H5FKSA1

EAN/GTIN:
5059043418445

Dauer-Kollektorstrom max. = 50 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 650 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 305 W
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 16.13 x 5.21 x 21.1mm
Betriebstemperatur max. = +175 °CmJ

Infineon TrenchStop IGBT-Transistoren, 600 und 650 V. Eine Serie von IGBT-Transistoren von Infineon mit Kollektor-Emitter-Nennspannungen von 600 und 650 V mit TrenchStop™-Technologie. Das Angebot umfasst Geräte mit integrierter hoher Geschwindigkeit, kurze Erholzeit, antiparallel geschalteter Diode. Kollektor-Emitter – Spannungsbereich 600 bis 650 V Sehr geringer VCEsat Niedrige Abschaltverluste Kurzer Deaktivierungsstrom Geringe elektromagnetische Störungen Maximale Verbindungstemperatur 175°C

16.13 x 5.21 x 21.1mm

Weitere Suchbegriffe: igbt, transistor to-247, 1107157, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IGW50N65H5FKSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs

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