transistor npn pnp  (11.178 gefilterte Angebote unter 28.156.226 Artikeln)Zum Expertenwissen

Produktpalette: BC847 MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 V Betriebstemperat...

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 10 A Kollektor-Emitter-Spannung = 80 V Gehäusegröße = TO-220AB Montage-Typ = THT Verlustleistung max. = 2 W Gleichstromverstärkung min. = 40 Transistor...

Wandlerpolarität: PNP Bauform - Transistor: TO-3 MSL: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 V Qualifikation: - Verlustleistung: 200 W Produktpalette: - Anzahl der Pins: 2 Pin(s) Transistormontage:...

Beim Transistor wird der Stromfluss zwischen Emitter und Kollektor durch einen kleineren Stromfluss zwischen Emitter und Basis gesteuert. Bei der npn Version ist die Basis gegenüber dem Emitter pos...

Diotec Transistor (BJT) - diskret BC548C TO-92 Anzahl Kanäle 1 NPN Bipolar-Standard-Leistungstransistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom I(C): 1...

Technologie: TRANSISTOR PNP Kollektor-Emitter-Spannung: -40 V Kollektor-Base-Spannung: -60 V Emitter-Base-Spannung: -5 V Kollektorstrom: -0,6 A Verlustleistung @Ta=25 °C: 0,6 W Betriebstemperatur: ...

Produktpalette: - MSL: - Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 5 GHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15 V Betriebstemperatur, ma...

Transistor-Typ = NPN Dauer-Kollektorstrom max. = 800 mA Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V Basis-Emitter Spannung max. = 10 V Gehäusegröße = TO-92 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Transistor-Konfigur...

Verlustleistung: 200 W Produktpalette: - Anzahl der Pins: 2 Pin(s) SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100 hFE Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 V Betriebstemperatur, ma...

Komplementärendstufen Germanium-Transistor, Typ=NTE102A, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=90 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannu...

Beim Transistor wird der Stromfluss zwischen Emitter und Kollektor durch einen kleineren Stromfluss zwischen Emitter und Basis gesteuert. Bei der pnp Version ist die Basis gegenüber dem Emitter neg...

Technologie: TRANSISTOR NPN Kollektor-Base-Spannung: 50 V Kollektor-Emitter-Spannung: 45 V Emitter-Base-Spannung: 5 V Kollektorstrom: 500 mA Verlustleistung @ Ta = 25 °C: 300 mW Betriebstemperatur:...

Produktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s) Transistormontage: Oberflächenmontage Wandlerpolarität: NPN, PNP Übergangsfrequenz: 100 MHz Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45 ...

Transistor-Typ = NPN DC Kollektorstrom max. = 1 A Kollektor-Emitter-Spannung = 150 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Verlustleistung max. = 3,8 W Gleichstromverstärkung min. = 60 Tra...

Qualifikation: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 V DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25 hFE Betriebstemperatur, max.: 150 °C Transistormontage: Through Hole Produktpalette: - Bauform - Transis...