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  transistor 500v  (485 gefilterte Angebote unter 28.155.299 Artikeln)Zum Expertenwissen

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"Transistor"

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5,1A; Idm: 32A; 125W; TO220AB (9 Angebote) 
Hersteller: VISHAY Montage: THT Gehäuse: TO220AB Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 5,1A Widerstand im Leitungszustand: 0,85Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 125W Polarisierung: unip...
Vishay
IRF840PBF
ab € 0,39*
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 Stück
Microchip LND150 LND150N3-G N-Kanal, THT MOSFET Transistor 500 V / 30 mA, 3-Pin TO-92 (2 Angebote) 
Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 30 mA Drain-Source-Spannung max. = 500 V Gehäusegröße = TO-92 Montage-Typ = THT Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1000 Ω Channel-Modus = Depletion...
Microchip Technology
LND150N3-G
ab € 0,45*
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 Stück
MOSFET-Transistor, n-Kanal, 112A, 500V, 0.039 Ohm, 10V, 5V, SOT-227B (4 Angebote) 
Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039 ohm Produktpalette: Polar3 HiPerFET Dauer-Drainstrom Id: 112 A Betriebstemperatur, max.: 150 °C Drain-Source-Sp...
IXYS
IXFN132N50P3
ab € 25,28*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; Polar3™; unipolar; 500V; 30A; Idm: 150A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: SMD Gehäuse: SMPD Bereitschaftszeit: 250ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 30A Widerstand im Leitungszustand: 0,12Ω Transistor-Typ: N-MOSFET x2 Verlustleistung: 32...
IXYS
MMIX2F60N50P3
ab € 29,21*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET x2; PolarHV™; unipolar; 500V; 13A; Idm: 55A (1 Angebot) 
Hersteller: IXYS Montage: THT Gehäuse: ISOPLUS i4-pac™ x024a Struktur des Halbleiters: doppelte serielle Bereitschaftszeit: 200ns Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 13A Widerstand im Leitungsz...
IXYS
FMM22-05PF
ab € 15,42*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 10A; Idm: 40A; 79W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 10A Widerstand im Leitungszustand: 0,75Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 79W Polarisi...
SHINDENGEN
P10F50HP2-5600
ab € 0,65*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 5A Widerstand im Leitungszustand: 1,65Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 52,5W Polaris...
SHINDENGEN
P5F50HP2F-5600
ab € 0,40*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 20A; Idm: 80A; 95W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 20A Widerstand im Leitungszustand: 0,36Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 95W Polarisi...
SHINDENGEN
P20F50HP2-5600
ab € 0,90*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 65W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 8A Widerstand im Leitungszustand: 1Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 65W Polarisierun...
SHINDENGEN
P8F50HP2-5600
ab € 0,40*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; 214W; TO247 (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO247 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 14A Widerstand im Leitungszustand: 0,22Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 214W Polarisier...
ST Microelectronics
STW20NM50FD
ab € 2,31*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; Linear™; unipolar; 500V; 58A; Idm: 232A; 730W (1 Angebot) 
Hersteller: MICROCHIP (MICROSEMI) Montage: THT Gehäuse: TO264 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 58A Widerstand im Leitungszustand: 90mΩ Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 730W Polarisi...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APL502LG
ab € 55,12*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 13A; Idm: 52A; 85W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 13A Widerstand im Leitungszustand: 0,6Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 85W Polarisie...
SHINDENGEN
P13F50HP2-5600
ab € 0,69*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; FDmesh™; unipolar; 500V; 14A; Idm: 80A; 192W (2 Angebote) 
Hersteller: STMicroelectronics Montage: THT Gehäuse: TO220-3 Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 14A Widerstand im Leitungszustand: 0,25Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 192W Polarisi...
ST Microelectronics
STP20NM50FD
ab € 1,82*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 15A; Idm: 60A; 90W (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 15A Widerstand im Leitungszustand: 0,5Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 90W Polarisie...
SHINDENGEN
P15F50HP2-5600
ab € 0,71*
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 Stück
Transistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 6A; Idm: 24A (1 Angebot) 
Hersteller: SHINDENGEN Montage: THT Gehäuse: FTO-220AG (SC91) Drain-Source Spannung: 500V Drainstrom: 6A Widerstand im Leitungszustand: 1,35Ω Transistor-Typ: N-MOSFET Verlustleistung: 62,5W Polaris...
SHINDENGEN
P6F50HP2-5600
ab € 0,42*
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