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  Leistungstransistor  (346 Angebote unter 28.252.289 Artikeln)

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"Leistungstransistor"

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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15003 TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN (3 Angebote) 
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15003 TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Bipolar-Standard-Leistungstransistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Str...
onsemi
MJ15003
ab € 7,94*
pro Stück
 
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Leistungstransistor, NPN, 30V, SOT-32 (1 Angebot) 
Leistungstransistor, Typ=2SD882, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1.2 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichs...
k.A.
2SD882
ab € 0,7353*
pro Stück
 
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Infineon
BSS83PH6327XTSA1
ab € 0,071*
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15004G TO-3 Anzahl Kanäle 1 PNP (6 Angebote) 
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15004G TO-3 Anzahl Kanäle 1 PNP Bipolar-Standard-Leistungstransistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-St...
onsemi
MJ15004G
ab € 4,12*
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Leistungstransistor, NPN, 350V, TO-220 (3 Angebote) 
Leistungstransistor, Typ=MJE15034G, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleic...
onsemi
MJE15034G
ab € 0,56*
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Infineon
BSS84PH6327XTSA2
ab € 0,0203*
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15025G TO-3 Anzahl Kanäle 1 PNP (6 Angebote) 
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ15025G TO-3 Anzahl Kanäle 1 PNP Bipolar-Standard-Leistungstransistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): PNP · Collector-St...
onsemi
MJ15025G
ab € 4,54*
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Leistungstransistor, NPN, 400V, SOT-223 (1 Angebot) 
Leistungstransistor, Typ=STN83003, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=18 V, Gleich...
k.A.
STN83003
ab € 0,4226*
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Infineon
SPP80P06PHXKSA1
ab € 2,48*
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ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ802 TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN (3 Angebote) 
ON Semiconductor Transistor (BJT) - diskret MJ802 TO-3 Anzahl Kanäle 1 NPN Bipolar-Standard-Leistungstransistor Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistoren): NPN · Collector-Strom...
onsemi
MJ802
ab € 7,93*
pro Stück
 
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Leistungstransistor, NPN, 400V, TO-220 (4 Angebote) 
Leistungstransistor, Typ=FJP13009H2TU, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=1.6 V, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=9 V, G...
onsemi
FJP13009H2TU
ab € 0,81*
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Infineon
BSS84PWH6327XTSA1
ab € 0,0407*
pro Stück
 
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STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret TIP142 TO-247-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington (6 Angebote) 
STMicroelectronics Transistor (BJT) - diskret TIP142 TO-247-3 Anzahl Kanäle 1 NPN - Darlington Leistungstransistor (ST Microelectronics®) Technische Daten: Anzahl Kanäle: 1 · Ausführung (Transistor...
ST Microelectronics
TIP142
ab € 0,80*
pro Stück
 
 Stück
Leistungstransistor, NPN, 400V, TO-220 (1 Angebot) 
Leistungstransistor, Typ=TIP50, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=-999, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstr...
k.A.
TIP50
ab € 0,5002*
pro Stück
 
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Infineon SIPMOS® BSS84PWH6327XTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 150 mA 300 mW, 3-Pin SOT-323 (1 Angebot) 
Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 150 mA Drain-Source-Spannung max. = 60 V Serie = SIPMOS® Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 25 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate...
Infineon
BSS84PWH6327XTSA1
ab € 121,86*
pro 3.000 Stück
 
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